반응형 고성능 메모리1 SK하이닉스, 업계 최초 300단 넘는 낸드플래시 개발 성공 서론 한국의 반도체 기업인 SK하이닉스가 업계에서 처음으로 300단을 넘는 낸드플래시 메모리를 개발하였다. 이는 고대역폭 메모리(HBM) 분야에서의 선도적인 역할에 이어, 낸드플래시 분야에서도 혁신적인 기술을 선보였음을 나타낸다. 새로운 개발 성과 SK하이닉스는 미국 산타클라라에서 개최된 세계 최대 낸드플래시 콘퍼런스에서 321단 1 테라바이트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 샘플을 공개하였다. 이번 발표는 지난 3월 반도체 학회에서의 개발 소식에 이어, 실제 시제품까지 선보인 것으로, 2025년 상반기에 양산 단계로 진입할 예정이라고 밝혔다. 적층 기술의 중요성 300단을 넘는 낸드플래시는 데이터 저장용량의 증가를 위해 적층 기술이 활용되었다. 이러한 적층 기술은 단순한 물리적인 적층뿐만 아니라 수직 연.. 2023. 8. 9. 이전 1 다음 반응형
