SK하이닉스, 업계 최초 300단 넘는 낸드플래시 개발 성공

서론

 

한국의 반도체 기업인 SK하이닉스가 업계에서 처음으로 300단을 넘는 낸드플래시 메모리를 개발하였다. 이는 고대역폭 메모리(HBM) 분야에서의 선도적인 역할에 이어, 낸드플래시 분야에서도 혁신적인 기술을 선보였음을 나타낸다.

 

SK하이닉스 321단 4D 낸드플래시 샘플

 

새로운 개발 성과

 

SK하이닉스는 미국 산타클라라에서 개최된 세계 최대 낸드플래시 콘퍼런스에서 321단 1 테라바이트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 샘플을 공개하였다. 이번 발표는 지난 3월 반도체 학회에서의 개발 소식에 이어, 실제 시제품까지 선보인 것으로, 2025년 상반기에 양산 단계로 진입할 예정이라고 밝혔다.

 

적층 기술의 중요성

 

300단을 넘는 낸드플래시는 데이터 저장용량의 증가를 위해 적층 기술이 활용되었다. 이러한 적층 기술은 단순한 물리적인 적층뿐만 아니라 수직 연결을 위한 구멍(홀)을 뚫어내는 등 고급 기술 요구사항을 가지고 있어, 많은 양의 데이터를 저장하고 처리할 수 있는 차별화된 경쟁력을 제공한다.

 

경쟁력 강화

 

SK하이닉스는 이미 올해 5월에 238단 낸드플래시 양산을 시작한 바 있으며, 이는 현재까지 존재하는 가장 높은 적층 수준을 가진 낸드플래시이다. 만일 2025년에 321단 낸드플래시 양산에 성공한다면, SK하이닉스는 시장 경쟁에서 유리한 위치를 차지할 것으로 예상된다. 이 회사는 D램과는 다르게 낸드플래시 분야에서는 후발주자(3위)지만, 기술력을 바탕으로 경쟁을 주도하고 있다.

 

 

기술 경쟁과 미래 전망

 

현재 낸드플래시 1위 기업인 삼성전자도 2030년에 1000단 V낸드 개발 계획을 발표하여 경쟁이 심화되고 있다. SK하이닉스는 이와 더불어 인공지능(AI) 시대의 핵심 제품으로 주목받는 HBM 메모리 분야에서도 12단 적층 제품을 선보이며 두각을 나타내고 있다.

 

성능 향상과 생산성

 

SK하이닉스가 이번에 공개한 321단 1Tb TLC 낸드플래시는 이전 세대인 238단 512Gb 제품에 비해 생산성이 59% 향상되었다. 이는 더 큰 용량을 지닌 칩 1개로 더욱 효율적인 데이터 저장을 가능케 하며, 웨이퍼 당 낸드플래시 생산량도 증가시키는데 기여한다. 이로써 SK하이닉스는 인공지능(AI) 기술 개발과 서비스 운영에 필요한 메모리 수요를 충족시킬 수 있는 계획을 가지고 있다.

 

SK하이닉스가 ‘FMS 2023’에서 공개한 세계 최고층 321단 4D 낸드 개발 샘플

 

회사 대표 의견

 

SK하이닉스의 낸드플래시 개발 담당 부사장 최정달은 "낸드 기술 리더십을 통해 AI 시대에 필요한 고성능·고용량 제품을 시장에 제공하여 혁신을 주도하겠다"라고 밝혔다.